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                                URE-2000/35NI納米壓印光刻機

                                更新時間:2023-04-14

                                訪問量:341

                                廠商性質:代理商

                                生產地址:中國

                                簡要描述:
                                URE-2000/35NI納米壓印光刻機 :
                                (1)曝光面積:110mm×110mm
                                (2)光刻分辨力:1μm(膠厚1.5μm的正膠)
                                (3)照明不均勻性:≤3%(φ100mm范圍)
                                (4)照明面光強:>30mW/cm2
                                設備外形美觀精制,性能非??煽?,自動化程 度很高,操作十分方便。非常適合工廠(效率高,自動化程度高)和高校教學科研 (可靠性好,演示方便)。
                                品牌其他品牌

                                URE-2000/35NI納米壓印光刻機 產品特征:

                                (1)采用積木錯位蠅眼透鏡平滑衍射效應實現均勻照明;

                                (2)采用350W進口直流汞燈作光源,可調節光的能量密度;

                                (3)曝光波長純凈,365nm;

                                (4)快門可以單獨開啟,也可以數字設定自動倒計時曝光;

                                (5)采用三爪式自動找平技術,無論大片、小片調平精度均高;

                                (6)具備真空接觸曝光、硬接觸曝、接近和接觸式曝光四種模式;

                                (7)自動分離對準間隙和消除曝光間隙,間隙分離可達500 um;

                                (8)電機機構、彈性元件和傳感器保證接觸曝光壓力;

                                (9)配置高倍率雙目雙視場顯微鏡與22英寸寬屏液晶顯示器,可通過顯微鏡目視和顯示器同時觀察對準過程,既滿足高精度對準,又可用于檢測曝光結果;

                                (10)對準完成,自動消除曝光間隙,無橫向漂移且可通過監視器觀察;

                                (11)上下片、版十分方便,自動化程度高,操作簡便;

                                (12)壓印技術采用成熟的紫外固化納米壓印制作工藝;

                                (13)低成本實現高分辨力納米圖形制作;

                                (14)“一鍵式"操作模式完成納米壓印工藝;

                                (15)采用高精度視頻對準技術實現復雜圖形套刻制作(兼容光刻部分);

                                (16)高精度驅動機構可實現納米圖形多次套刻(兼容光刻部分);

                                (17)照明技術實現納米圖形精準固化(兼容光刻部分);

                                (18)壓印模塊獨立設計,可嵌入傳統光刻設備實現納米壓印;

                                (19)設備性能可靠,操作界面友好,可滿足客戶個性化定制需求;


                                URE-2000/35NI納米壓印光刻機 主要技術參數:

                                (1)曝光面積:110mm×110mm

                                (2)光刻分辨力:1μm(膠厚1.5μm的正膠)

                                (3)照明不均勻性:≤3%(φ100mm范圍)

                                (4)照明面光強:>30mW/cm2

                                (5)光刻掩模尺寸:2.5、3、4、5英寸

                                (6)光刻基片尺寸:直徑φ15mm—φ100mm(可適應非標準片或碎片),厚度0.1--6mm

                                (7)對準精度:土0.8μm,可數字設定曝光間隙和對準間隙;

                                (8)曝光方式:定時(倒計時方式0.1—999.9秒);

                                (9)壓印分辨力:50nm(用戶提供條件)

                                (10)最大壓印面積:φ75mm(其余尺寸需定制)

                                (11)壓印掩模尺寸:3英寸、4英寸(其余尺寸需定制)

                                (12)壓印承片臺尺寸:2英寸、3英寸(其余尺寸需定制)

                                (13)紫外固化光源:與光刻部分兼容;

                                (14)其他:壓印壓力及紫外固化時間均可精準控制;

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